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　　三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提升良品率，确保其HBM4内存的量产。

　　三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题，2024年末的试产并未达到预期效果，大规模生产准备阶段的良品率通常在60%至70%左右。

　　为了提升良品率，三星决定调整设计，核心电路线宽保持不变，而外围电路线宽的要求则被放松，这一调整预计将显着提升良品率，确保HBM4内存的稳定量产。

　　三星的目标是在2025年6月开始量产1cnm DRAM，为HBM4的生产铺平道路，HBM4内存是三星未来内存业务的重要组成部分，因此确保1cnm DRAM的良品率对于三星的竞争力至关重要。

　　竞争对手SK海力士预计最快在2025年2月开始量产1cnm DRAM芯片，将成为全球首家运用1cnm工艺生产DRAM芯片的存储器供应商。